- Описание
- Обзор
- Отзывы
- Характеристики
- Объявления
- Форум
Отзывы Gigabyte GE-P610A в Абакан
Написать отзывПишите и читайте отзывы покупателей на Блоки питания Gigabyte GE-P610A в Абакан
- Достоинства
Отличный БП,тихий мощьный и недорогой.Пики выдерживает отлично
- Недостатки
ненащёл!
- Комментарий
За эту цену для SLI лучше нен найти!
- Достоинства
Много кабелей питания для SATA
Дизайн
Удобные коннекторы molex - Недостатки
Кабеля не съемные
- Комментарий
Держал систему
i5 2310
GTX 560 TI
1 TB
1 TB
1 TB
500 GB
1 SSD 120
3 вентилятора корпуса
2 внтиляторных модуля для HDD
- Достоинства
Мощный, тихий, в пиковой нагрузке выдает 720 ватт, по сумме характеристик не дорогой.
- Недостатки
Срок службы
- Комментарий
Сгорел через 5 лет пользования. Может это кому-то покажется не недостатком, а достоинством, но у многих знакомых Ноу-неймы служат дольше.
Питал систему ват от силы на 400. Проц i5 (750), видео hd4890.
- Достоинства
Надежный, тихий, современный формат ATX 2.3, всем устраивает, после бп Thermaltake это просто чудо техники.
- Недостатки
Не модульный, в результате чего в корпусе болтается несколько ненужных проводов.
- Комментарий
За эти деньги на время покупки ничего лучше не нашел. Питает систему: Core i5 750 (разгон), 4Gb DDR3 (разгон), Palit GTX 560 Ti 2Gb, 2 винта WD Caviar Black по 500 гигов, два вентиля в корпусе, и прочие мелочи.
- Достоинства
Отличный БП,тихий мощьный и недорогой.Пики выдерживает отлично
- Недостатки
ненащёл!
- Комментарий
За эту цену для SLI лучше нен найти!
- Достоинства
Надёжный за 7 лет ни разу не подвёл
- Недостатки
вентилятор через 7 лет начал шуметь,
- Комментарий
кпд около 80%. активная компенсация реактивной энергии.
японские конденсаторы.
Тип транзистора: MOSFET
Полевые транзисторы CP11N60
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.38 Ohm