Характеристики Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E2T0BW 2 ТБ в Иркутск

Подробные характеристики SSD-накопители Samsung 990 EVO M.2 MZ-V9E2T0BW 2 ТБ в Иркутск


 

 

Тип
внутренний
Объем
2000 ГБ
Форм-фактор
M.2
Интерфейс M.2
PCI-E 5.0 2x (PCI-E 4.0 4x)
Контроллер
Samsung Piccolo
Тип памяти
3D TLC NAND (Samsung 133-Layer)
NVMe
есть
Внешняя скорость записи
4200 МБ/с
Внешняя скорость считывания
5000 МБ/с
Наработка на отказ
1.5 млн. ч
IOPS записи
800 тыс
IOPS считывания
700 тыс
TBW
1200 ТБ
DWPD
0.3 раз/день
Гарантия производителя
5 лет
Шифрование данных
есть (AES 256-bit, TCG/Opal V2.0)
Размеры
22x80 мм