SSD Samsung MZ-V8P1T0CW
Нет в наличии
- Описание
- Обзор
- Отзывы
- Характеристики
- Объявления
- Форум
Характеристики Samsung MZ-V8P1T0CW в Саяногорск
Подробные характеристики SSD Samsung MZ-V8P1T0CW в Саяногорск
- Тип
- внутренний
- Объем
- 1000 ГБ
- Форм-фактор
- M.2
- Интерфейс M.2
- PCI-E 4.0 4x
- Контроллер
- Samsung Elpis
- Буферная память
- 1000 МБ (DDR4)
- Тип памяти
- 3D TLC NAND
- NVMe
- есть (1.3c)
- Внешняя скорость записи
- 5000 МБ/с
- Внешняя скорость считывания
- 7000 МБ/с
- Ударостойкость при работе
- 1500 G
- Наработка на отказ
- 1.5 млн. ч
- IOPS записи
- 1000 тыс
- IOPS считывания
- 1000 тыс
- TBW
- 600 ТБ
- DWPD
- 0.3 раз/день
- Гарантия производителя
- 5 лет
- TRIM
- есть
- Радиатор охлаждения M.2
- есть
- Размеры
- 22x80 мм
- Вес
- 31 г