G.Skill F3-2666C11D-8GTXD оперативная память в Сухой Лог

Требует минимальнейшего поднятия напряжения аналоговой части процессора : 2933 Мгц Offset =0.1В U core =1.15В.
Пришлось на одной планке открутить гребешок чтобы влезла из- за скоб держащих вентилятор на куллере IH-4800

Цена в 1.5 раза дороже аналогов .2.Маленькие возможности для разгона. 3. Абсолютно не нужная по первой причине панель с вентиляторами

По красивым зарубежным обзорам должна была заработать на 2800 Мгц 11-14-13-36 @1.66В......Увы..тесты даже на 1.72В не прошла, а загрузка системы на 2800 Мгц шла только на 12-13-13-36 (зато на 1.6В), и на удивление - на 2933 Мгц 12-14-14-36@1.64В.
Цифры с виду красивые, вот только после прогона PC MARK 7 получилось, что 2400 Мгц 10-11-10 -28 и 2933Мгц 12-14-13-38 - максимум что можно выжать без опасных напряжений, так как режимы 2666МГц 10-13-13-36 и 2800МГц 11-14-14-38 даже этот тест не проходили, не говоря о LinPack.
Почему в таком пренебрежительном тоне?
Потому что предыдущая память Patriot PXD38G1600LLK (скорее всего на более ранних Hunix чипах) при 2 годах работы в номинале 1600 Мгц 8-9-8-24 ещё около 2 лет работала 1960 Мгц 9-10-9-28 ( на Sandy) и проходила все тесты на 2250 10-11-10-32 @1.68, и то потому что один из модулей пропадал при меньшем напряжении. А при переходе на Hasswell ряд тестов PC MARK 7 на Samsung Evo 256Гб с Rapid mode прошла быстрее чем нынешняя : Video transcoding downscaling в 17693kbps против 11517kbps (G.Skill 2933 Мгц)
Наверняка это связанно с кэшированием Samsung Evo 256Гб, но на частоте 2400 Мгц starting application: 120Mb/s на 2400Мгц против 61 Mb/s на 2933 Мгц
В обычном же режиме в большинстве тестов без Rapid mode преимущество или потери от большей частоты, но на 0 - 3%. (I5 4690K @4.2 ГГц Asrock extreme 3 Samsung Evo 256Гб с Rapid mode)
Оставил режим 2933 12-14-13-38 @1.65В